Institut Silizium-Photovoltaik
Rasterelektronen-Mikroskopie (REM)
Das Rasterelektronen-Mikroskop (REM) S-4100 der Firma HITACHI mit kalter Feldemissionskathode ermöglicht die Untersuchung der Struktur und Oberflächenmorphologie leitender, halbleitender und isolierender Materialien ohne Aufbringung leitender Überzüge. Die Anregungsspannung kann zwischen 0,5 und 30 kV variiert werden. Die maximale Auflösung beträgt 1,5 nm.
Methoden
- Energiedispersive Röntgenanalyse (EDX)
- Electron Backscatter Diffraction (EBSD)
- Electron Beam-Induced Current (EBIC)
Untersuchte Materialien:
- Silizium-Schichten
- TCO-Schichten
- CIS-Schichten
