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Institut Silizium-Photovoltaik

Laserkristallisation im Vakuum

Laserkristallisation Vakuum - vergrößerte Ansicht

Ansicht der Anlage zur Laserkristallisation im Vakuum oder unter Schutzgas

Beschreibung der Anlage

Das Institut Silizium-Photovoltaik betreibt zwei Anlagen zur flüssigphasenkristallisation (LPC) von Siliziumfilmen auf Glas. Abgebildet ist die Anlage zu Kristallisation im Hochvakuum oder unter Schutzgasatmosphäre. Hierbei können folgende Gase eingesetzt werden: Argon, Stickstoff, Formiergas (5% Wasserstoff in Stickstoff).

 

Weitere technische Daten:

  • CW Diodenlaser mit einer Wellenlänge von 808nm
  • Strahlgeometrie 52mm x 0,3 mm (1/e2)
  • optische Leistung < 500W
  • Widerstandsheizer bis zu 500°C (Probenoberfläche)
  • maximale Probengröße: 50 mm x 100 mm