Institut Silizium-Photovoltaik

Heterostrukturen - Wissenschaftliche Fragestellungen

Bei der Herstellung und Charakterisierung von Heterostrukturen ergeben sich eine Reihe von Fragestellungen, die wir - zum Teil mit spezialisierten analytischen Methoden - wissenschaftlich untersuchen:

Die Herstellung einer Heterostruktur beginnt meist mit der Präparation einer geeigneten Halbleiter-Oberfläche. Die nass-chemische Konditionierung von Silizium-Substraten ist hierbei ein wichtiger Arbeitsschritt.

Zur Herstellung von Silizium-Heterostrukturen werden im Anschluss auf der Substrat-Oberfläche dünne Halbleiter-Schichten abgeschieden, z.B. mittels PECVD. Die Bestimmung der Dichte von Defekt-Zuständen in diesen dünnen Schichten ist ein weiterer Schwerpunkt unserer Arbeiten.

Die so hergestellten Heterogrenzflächen können mit weiteren Verfahren wie Oberflächen-Photospannung (SPV) oder Photoelektronenspektroskopie (XPS, UPS, Nah UV-PES) untersucht werden, um Bandverbiegungen, Defektdichten Band-Offsets usw. zu charakterisieren.