Institut Silizium-Photovoltaik
Heterogrenzflächen
Eine Heterogrenzfläche ist charakterisiert durch Gitterfehlanpassungen, Grenzflächenzustände, Bandoffsets und Bandverbiegungen in den angrenzenden Festkörpern. Diese Parameter bestimmen den Ladungstransfer über/durch diese Grenzfläche und die Grenzflächen-Rekombination.
Grenzflächen-Rekombination an Heterogrenzflächen (exemplarisch skizziert für eine Wafer-basierte a-Si/c-Si-Solarzelle) ist häufig der größte Verlustfaktor bei Heterosolarzellen. Entsprechend entwickeln wir spezielle Messmethoden, um die physikalischen Parameter von Heterogrenzflächen ausmessen und die effektive Rekombination an den Grenzflächen quantifizieren zu können.
Oberflächen-Photospannungs-Methode (SPV) zur Bestimmung von:
- effektive Rekombinations-Zeitkonstanten des Absorbers: τeff
- Absorber Bandverbiegung: q·Φbic-Si
- Grenzflächenzustandsdichte: Dit(E)