Wissenschaftliche Fragestellungen

Grenzflächen-Rekombination an einer Heterogrenzfläche ist häufig der größte Verlustfaktor bei Heterosolarzellen. Die Anzahl der Defekt­zustände an der Grenzfläche limitiert wesentlich den Solarzellen-Wirkungsgrad.

Sofern man die Position der Fermi-Energie an der Grenzfläche als Funktion der Vorspannung verändern kann, kann man mit Hilfe von Vorspannungs-abhängigen SPV-Messungen (VD-SPV) die Zu­standsdichteverteilung der Grenzflächendefekte ermitteln.

In Abb. 1 sind typische Grenzflächen-Zustandsdichte­verteilungen des Si/SiO₂- und des a-Si:H/c-Si-Systems dargestellt, wie sie aus VD-SPV-Messungen gewonnen wurden.