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Institut Silizium-Photovoltaik

Wissenschaftliche Fragestellungen

Grenzflächen-Zustandsdichte

 

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Abb.1: Grenzflächen-Zustandsdichte­verteilung von a-Si:H/c-Si- und SiO2/c-Si-Hetero-Grenzflächen, ermittelt durch SPV-Messungen.