Silizium-basierte Heterostrukturen



Fig. 1  Foto eines am HZB prozessierten Silizium-Wafers mit a-Si:H/c-Si Wafer-Solarzellen


Fig. 2 a: Schema einer amorph/kristallinen Silizium-Wafer-Solarzelle (hier ohne Oberflächen-Textur gezeichnet).

Fig. 2 b: Bandstruktur des TCO/(p,i)a-Si:H/(n)c-Si-Heterokontakts. ΔEV, ΔEC sind die Banddiskontinuitäten am Heterokontakt, Dit bezeichnet Grenzflächen-Defekte.